2026年，全球存储器行业在AI等需求驱动下进入了高增长周期。随着DRAM与NAND Flash市场供需关系持续紧张，行业主要厂商的业绩大幅提升。美光、三星和SK海力士等大厂披露的财报数据均创下历史新高，显示出行业盈利能力的强劲回升。美光披露最新财报，远超市场预期3月18日，美光科技公布2026财年

根据韩国中央日报报道，由于台积电的产能面临极度紧绷的状态，美国各大科技厂商纷纷开始排队寻求其他晶圆代工产能的支持。在此强烈需求的背景下，韩国三星正积极筹备，准备在其位于美国德州泰勒市的庞大半导体园区内，着手兴建第二座晶圆厂(Fab 2)。报道指出，根据泰勒市议会所披露的官方文件，这座备受瞩目的第二座

3月18日，三星电子宣布，已与半导体芯片大厂AMD（超威）在三星平泽厂签署了谅解备忘录（MOU），以扩大双方在下一代人工智能内存和计算技术方面的战略合作。根据该谅解备忘录，三星和AMD将在下一代AMD AI加速器AMD Instinct MI455X GPU的HBM4主要供应方面，以及代号为&ldq

近日，国内第三代化合物半导体厂商英诺赛科（苏州）半导体有限公司（以下简称“英诺赛科”）发生工商变更，注册资本增至44亿元，相较此前的37亿元，增幅达19%。资料显示，英诺赛科成立于2015年，由英诺赛科（苏州）科技股份有限公司全资持股，是氮化镓工艺创新与功率器件制造厂商，其氮

3月16日，在中关村论坛 “北京基础研究和技术攻关成效” 发布活动上，清华大学材料学院宋成教授团队宣布在新型磁存储领域取得关键突破，为研发兼具超高密度、超快读写与低功耗的新一代磁存储器奠定核心科学基础。近年来，全球数据爆发式增长，传统存储能力已难以为继，内存、硬盘频繁紧缺涨价

先前市场消息盛传，ASML准备进军半导体后段设备市场，将聚焦快速成长的先进封装领域。据韩媒The Elec报道，目前公司正在开发混合键合（hybrid bonding）设备，这是下一代芯片封装的关键设备。知情人士透露，ASML已开始设计用于半导体后段工艺的混合键合设备整体架构；此外，ASML近期已与

3月19日，武汉全市集成电路、新型显示产业链及光谷优势产业集群发展工作推进会在东湖高新区举行。会议研究部署了下一步重点工作。目前，武汉市集成电路、新型显示两大产业均已形成千亿产业发展格局。在光谷优势产业集群中，集成电路产业规模占全市近九成，新型显示产业规模占比近六成，龙头引领作用持续凸显。对于下一步

近日，香港首个半导体设备生产基地项目在元朗启动。据公众号“湾媒”报道，香港科技园公司（科技园公司）与东微电子香港有限公司（东微电子）于3月16日在元朗创新园举行了“元朗创新园半导体设备生产基地项目启动礼”。报道称，东微电子将于元朗创新园设立全港首个研发

近日，特斯拉（Tesla）CEO马斯克（Elon Musk）宣布将打造有史以来最大的晶圆厂「TeraFab」计划，目标年产1太瓦（terawatt）要在太空释放拍瓦级AI运算力，首座Terafab先进技术工厂落脚奥斯汀，并将逻辑芯片、存储器芯片及先进封装整合在同一座厂中。马斯克表示，Terafab计

2026年3月23日，纳芯微电子发布价格调整通知函，宣布因全球半导体市场波动及晶圆、封装材料等核心原材料成本大幅攀升，决定对部分产品价格进行适当调整。具体调整幅度及适用产品范围将由销售团队与客户沟通确认。此次涨价是行业整体成本上升及供需关系变化的反映，纳芯微表示将持续优化供应链与成本架构，减少对客户

据韩媒THE ELEC于2026年3月19日报道，三星的8英寸氮化镓（GaN）生产线已准备就绪。三星半导体在2023年曾宣布其功率半导体晶圆厂将于2025年投产，但实际进度有所滞后。据最新行业消息，三星的首条8英寸GaN生产线预计最快将于2026年第二季度投产，初期营收规模预计不超过1000亿韩元。

TrendForce集邦咨询: 低容量NAND Flash供给紧缩叠加品牌推动AI革新，预估2026年智能手机平均存储容量年增4.8%根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，尽管2026年全球智能手机品牌面临NAND Flash价格高涨压力，但由于原厂制程升级迫使低容量规格淘汰，以及高端