来源：中国科学院物理研究所常见的六方相氮化硼（hBN）因化学稳定、导热性能好以及表面无悬挂键原子级平整等特点，被视为理想的宽带隙二维介质材料。菱方相氮化硼（rBN）可以保持hBN较多优异性质，并具有非中心对称的ABC堆垛结构，因而具备本征的滑移铁电性和非线性光学性质。rBN是极具应用潜力的功能材料，

据中航光电官微消息，5月8日，中航光电基础器件产业园落成投产仪式在洛阳本部杜预街厂区全球营销中心大楼前隆重举行。据悉，该基础器件产业园项目于2022年4月28日全面开工，项目总投资22.69亿元，占地211亩，总规划建设科研生产面积约28万平方米。旨在提升公司光互连、光电转换、液冷散热等产品的研发及

据中建一局官微消息，近日，国内最大的SIC功率半导体制造基地——武汉长飞先进半导体基地项目成功完成首榀桁架吊装，标志着项目钢结构施工全面展开，助力武汉打造世界级化合物半导体产业高地。据悉，长飞先进武汉基地项目位于湖北省武汉市，总投资200亿元。其中，一期已于2023年9月开工，预计今年6月封顶，20

据日媒报道，晶圆代工厂力积电(PSMC)与SBI控股曾宣布，将合资设立JSMC首座晶圆厂。而SBI控股会长兼社长北尾吉孝近日透露，有意将新厂生产时间提前一年。对此，力积电并未对投产时间作出回应，但表示将全力对该厂提供技术援助。据悉，该晶圆厂选定日本宫城县黑川区大衡村的第二北仙台中央工业园区，计划20

新思科技携手台积公司共同开发人工智能驱动的芯片设计流程以优化并提高生产力，推动光子集成电路领域的发展，并针对台积公司的2纳米工艺开发广泛的IP组合摘要：由Synopsys.ai™ EDA套件赋能可投产的数字和模拟设计流程能够针对台积公司N3/N3P和N2工艺，助力实现芯片设计成功，并加速模拟设计迁移

深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日宣布达成协议，收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商Odyssey Semiconductor Technologies的资产。这项交易预计将于2024年7月完成，届时Odyssey的所有关键员工都将加入Powe

自Power Integrations (PI) 官网获悉，5月7日，PI宣布收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商奥德赛半导体技术公司(Odyssey)的资产。该交易预计将于2024年7月完成，之后，Odyssey的所有关键员工预计将加入PI的技术团队。声明中称，此次收购将有力支持公司正在进行的

据路透社8日报道，在有消息称美国撤销了一些企业向中企出口芯片许可证后，美国芯片巨头英特尔公司当天表示，其销售额可能将受到打击。对于美国针对中企的这一最新限制芯片出口举动，中国商务部7日回应称，这是典型的经济胁迫做法，不仅违背世贸组织规则，也严重损害美国企业利益。路透社称，英特尔在提交给美国证券交易委

来源：美光美光再创行业里程碑，率先验证并出货 128GB DDR5 32Gb 服务器 DRAM，满足内存密集型生成式 AI 应用对速率和容量的严苛要求Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布在业界率先验证并出货基于大容量 32Gb 单块 DRAM芯片的128GB

据中车时代电气官微消息，近日，宜兴中车时代半导体有限公司首台（套）设备搬入仪式，在宜兴市经开区项目工地成功举行。据悉，中低压功率器件产业化（宜兴）建设项目位于无锡市宜兴市经济开发区，于2023年3月全面启动。一期项目投资59亿元，产品主要用于新能源汽车领域。建成达产后可满足新增36万片中低压组件基材

来源：上海微技术工研院近年来，随着集成电路技术和微机电系统（MEMS）技术的飞速发展，非制冷红外焦平面阵列探测器技术日趋成熟，系列化产品也逐步实现大规模量产。上海工研院聚焦“超越摩尔”集成电路核心工艺研发，并于2018年开始布局非制冷红外探测器技术。经过多年的技术研发和攻关，建立由标准模块工艺组成的

来源：中国电子报近日，欧洲三家半导体企业意法、恩智浦、英飞凌先后公布财报，其中汽车半导体业务均出现不同程度的下滑。然而，高通、英伟达等美国企业在汽车芯片市场强劲增长。汽车芯片曾经是欧洲三家半导体企业增长最快的业务，是继工业半导体业务之后的第二增长曲线。面对竞争对手咄咄逼人的攻势以及欧洲新能源汽车市场